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Domestic patent

45. 압전 고분자 고어-쉘 구조체 및 그의 제조방법

 

등록 : 10-1453494

 

등록일 : 2014. 10. 15

 

발명자 : 노광수, 최윤영, 백혜민, 안건, 김수란, 김연태

 

44.  압전 폴리머를 이용한 패브릭 제조용 파이버 및 그 제조방법

 

등록: 10-1366133

 

등록일: 2014. 02. 17

 

발명자: 노광수, 오세훈, 김연태, 백혜민

 

43. 아세트산납이 내부에 충진된 이산화티탄 나노튜브, 이산화티탄 나노튜브 내부에 아세트산납을 충진하는 방법 및 강유전체 나노튜브 소자 제조방법

 

등록 : 10-1343467

 

등록일 : 2013. 12. 13

 

발명자 : 노광수, 김봉수, 홍종인, 최윤영, 안건, 김연태

 

42. 고전력 밀도를 가지는 에너지 수확 소자 및 그 제조 방법

 

등록 : 10-1327299

 

등록일 : 2013. 11. 04

 

발명자 : 노광수, 리동준, 김동진

 

41. 강유전 고분자 박막을 이용한 정보 저장 매체의 제조방법

 

등록 : 10-1303086

 

등록일 : 2013. 08. 28

 

발명자 : 노광수, 최현우, 최윤영, 김동진, 김연태, 오세훈

 

40. 강유전체 폴리머 나노도트 소자 및 그 제조를 위한 디웨팅 프로세스

 

등록 : 10-1276560

 

등록일 : 2013. 06. 13

 

발명자 : 노광수, 최윤영, 오세훈, 김동진, 안건, 김연태.

 

39. 고분자 화합물 필러 구조체를 이용한 3차원 전극 및 그 제조방법

 

등록 : 10-1251344

 

등록일 : 2013. 04. 01

 

발명자 : 노광수, 안건, 홍종인, 김연태, 김봉수, 최윤영.

 

38. 압전체 나노로드를 이용한 에너지 수확 시스템 및 그 제조방법

 

등록 : 10-1231569

 

등록일 : 2013. 02. 04

 

발명자 : 노광수, 김동진, 최윤영, 김지윤, 박문규, 윤재성, 최현우, 오세훈.

 

37. 강유전체 나노도트 소자 및 그 제조방법

 

등록 : 10-1231564

 

등록일 : 2013. 02. 04

 

발명자 : 노광수, 김지윤, 홍종인, 박문규, 김동진.

 

36. 탄성체로 이루어진 압전소자를 이용한 에너지 수확 시스템 및 그 제조방법

 

등록 : 10-1212958

 

등록일 : 2012. 12. 11

 

발명자 : 노광수, 김동진, 리동준, 안건, 최윤영, 김연태, 김지윤, 박문규.

 

35. Method of piezoelectric polymer core-shell structures.

 

(압전 고분자 코어-쉘 구조체 제조방법)

 

출원 : 10-2012-0106371 -한국특허출원

 

출원일 : 2012. 9. 25

 

발명자 : 노광수 최윤영 백혜민 안건 김수란 김연태.

 

34. fabrication of fabric fiber using polymer piezoelectrics.

 

(폴리머압전체를 이용한 fabric fiber의 제조)

 

출원 : 10-2012-0076378 -한국특허출원

 

출원일 : 2012. 7. 13

 

발명자 : 노광수 오세훈 김연태 백혜민.

 

33. Method for manufacturing of piezoelectric material using carbon nanotube and polymer solution.

 

(탄소나노튜브와 폴리머 용액을 이용한 압전체 제조 방법)

 

출원 : 10-2012-0028449 -한국특허출원

 

출원일 : 2012. 3. 20

 

발명자 : 노광수 백혜민 안건 김수란 최윤영 김연태.

 

32. Production apparatus and Production method of ferroelectric nanostructures.

 

(강유전 나노구조체 제조 장치 및 제조 방법)

 

출원 : 10-2012-0031089 -한국특허출원

 

출원일 : 2012.03. 27

 

발명자 : 노광수 최현우 김윤석 김지윤 김봉수 안건.

 

31. Data Storage Device Using Ferroelectric Polymer Thin Film and Method of Manufacturing for the Same.

 

(강유전 고분자 박막을 이용한 정보 저장 매체 및 그 제조방법)

 

출원 : 10-2012-0010135 -한국특허출원

 

출원일 : 2012.02.01

 

발명자 : 노광수 최현우 최윤영 김동진 김연태 오세훈.

 

30. Energy Harvesting Device with High Power Density and Method of Manufacturing for the Same.

 

(고전력 밀도를 가지는 에너지 수확 소자 및 그 제조 방법)

 

출원 : 10-2012-0007620 -한국특허출원

 

출원일 : 2012.01.26

 

발명자 : 리동준 김동진 노광수.

 

29. TiO2 Nanotubes Filled with Lead acetate, Method for Filling TiO2 Nanotubes with Lead acetate and Method for Manufacturing Ferroelectric Nanotube Arrays.

 

(아세트산납이 내부에 충진된 이산화티탄 나노튜브, 이산화티탄 나노튜브 내부에 아세트산납을 충진하는 방법 및 강유전체 나노튜브 소자 제조방법)

 

출원 : 10-2011-0086590 -한국특허출원

 

출원일 : 2011-08-29

 

발명자 : 김봉수,홍종인,최윤영,안건,김연태, 노광수.

 

28. Fabrication of PEDOT:PSS coating on Polyurethane pillars

 

(폴리우레탄 micropillar 구조를 이용한 3차원 전극제조기술)

 

출원 : 10-2011-0076965 -한국특허출원

 

출원일 : 2011-08-02

 

발명자 : 안건,홍종인,김연태,김봉수,최윤영, 노광수

 

27. Energy harvesting system using spring coverd ferroelectricity fabricated dip coating methods

 

(딥코팅 방법으로 제조된 스프링 압전체의 에너지 수확시스템)

 

출원 : 10-2011-0035742 -한국특허출원

 

출원일 : 2011-04-18

 

발명자 : 김동진,리동준,안건,최윤영,김연태,김지윤,박문규, 노광수

 

26. Fabrication of ferroelectric polymer nanodot and nanodevice by using dewetting process

 

(Dewetting process를 이용한 ferroelectric polymer nanodot 제조 및 nano 소자제작)

 

출원 : 10-2011-0023698 -한국특허출원

 

출원일 : 2011-03-17

 

발명자 : 최윤영,오세훈,김동진,안건,김연태, 노광수

 

25.Fabrication of ferroelectric polymer nanorod arrays and nanodevice by using immersion crystallization method

 

(Immersion crystallization method를 이용한 ferroelectric polymer nanorod arrays 및 nano 소자제작)

 

출원 : 10-2011-0020274 -한국특허출원

 

출원일 : 2011-03-08

 

발명자 : 김동진,최윤영,안건,김연태,오세훈, 노광수

 

24. Energy harvesting system using aligned piezoelectric polymer nanorods

 

(정렬된 유기 압전체 나노 막대를 이용한 에너지 수확 시스템)

 

출원 : 10-2011-0017515 -한국특허출원

 

출원일 : 2011-02-28

 

발명자 : 김동진,최윤영,김지윤,박문규,윤재성,최현우,오세훈, 노광수

 

23. Bit recording process on ferroelectric medium using probe or small conductive structure and recording medium thereof

 

등록: KR 10-0842890-0000 (25-06-2008) (issued)

 

발명자: Seung Bum Hong, Yun Seok Kim, Kwangsoo No, Sung Hoon Choa, Simon Bühlmann, Ji Yoon Kim

 

22. 4방향 게이트에 의해 조절되는 수평형 접합전계효과트랜지스터

 

출원: 10-2005-0119222 (2005.12.08)

 

등록: 10-0712078 (2007.05.02)

 

발명자 : 박건식, 박종문, 유성욱, 윤용선, 김상기, 구지근, 김보우, 노광수

 

21. 탐침 또는 크기가 작은 전도성 구조를 이용한 강유전층의 비트 기록 방법 및 그 기록 매체

 

출원 : KR10-2007-0008059 (2007-01-25)

 

발명자 : 홍승범, 김윤석, 노광수, 좌성훈, Simon Buhlmann, 김지윤

 

20. 강유전층을 이용한 수직 기록 매체 및 그 제조 방법

 

출원 : p2005-0013136 (2005.02.17)

 

발명자 : 김윤석, 김승현, 노광수, 홍승범

 

19. 강유전막을 포함하는 기록매체, 이를 포함하는 비휘발성 메모리 소자, 이러한 메모리 소자의 데이터 기록 및 재생방법 (Recording material comprising ferroelectric layer, nonvolatile memory device comprising the same, and methods of writing and reading data for the memory device)

 

출원: 10-2004-0002925 (2004.01.15)

 

등록: P0561858 (2006.01.17)

 

발명자 : 김윤석, 홍승범, 노광수

 

18. 강유전막을 포함하는 기록매체, 이를 포함하는 비휘발성 메모리 소자, 이러한 메모리 소자의 데이터 기록 및 재생방법 (Recording material comprising ferroelectric layer, nonvolatile memory device comprising the same, and methods of writing and reading data for the memory device)

 

출원 : P2003-0058790 (2003.08.25)

 

발명자 : 김윤석, 홍승범, 노광수

 

17. 압전소자의 저온 소결 방법

 

출원 신청중

 

발명자 : 김홍수, 안영수, 박주석, 한문희, 김준수, 유윤종, 노광수

 

16. 에너지 트랩을 이용하여 소정 파장의 빛에 대한 투과율을 조절한 위상 쉬프트 마스크 및 그 제조방법

 

출원 : 10-2000-0019255 (2000.04.12)

 

발명자 : 박조현, 김은아, 노광수

 

15. CrAIO(N)F 을 이용한 위상 쉬프터 물질로서 사용한 위상 쉬프트 마스크 및 그 제조방법

 

출원 : 10-2000-0008574 (2000.02.22)

 

발명자 : 박조현, 김은아, 노광수

 

14. CrAION 을 이용한 위상 쉬프터 물질로서 사용한 위상 쉬프트 마스크 및 그 제조방법

 

출원 : 10-1999-0040288 (1999.09.18)

 

발명자 : 박조현, 김은아, 노광수

 

13. 부분 용융법을 이용한 고온 초전도 에피텍셜 후막의 제조방법

 

출원 : 10-1999-0037895 (1999.09.07)

 

등록 : 10-0338359-0000 (2002.05.15)

 

발명자 : 성태현, 한승호, 한상철, 한영희, 김상준, 노광수

 

12. 반도체 장치의 포토 마스크 및 그 제조방법

 

출원 : 10-1999-0028410 (1999.07.14)

 

발명자 : 문성용, 김용훈, 노광수

 

11. 부분 용융 물질을 이용한 PZT 후막의 제조방법

 

출원 : 10-1998-0022134 (1998.06.13)

 

등록 : 10-0294850-0000 (2001.04.20)

 

발명자 : 노광수, 전용배, 이창호, 정재식, 송한욱

 

10. 마이크로 자이로스코프 및 그 제조방법과 이를 이용한 각속도 측정방법

 

출원 : 10-1997-0039495 (1997.08.20)

 

등록 : 10-0233829-0000 (1999.08.23)

 

발명자 : 이창승, 이정현, 홍윤식, 노광수, 유형준

 

9. 위상 시프트 마스크 및 그 제조방법

 

출원 : 10-1996-0046357 (1996.10.16)

 

등록 : 10-0230376-0000 (1999.08.23)

 

발명자 : 임성출, 우상균, 강호영, 노광수

 

8. 실리콘 미소구조체 제조방법

 

출원 : 10-1996-00043787 (1996.10.04)

 

등록 : 10-0227787-0000 (1999.08.05)

 

발명자 : 이창승, 이종현, 정회환, 노광수, 유형준

 

7. 우선 배향성을 갖는 PZT 및 PLZT 박막의 제조방법

 

출원 : 10-1994-0013312 (1994.06.14)

 

발명자 : 노광수, 김창정, 이준성

 

6. 압출 및 일방향 입자 성장을 이용한 고전류용 이트륨 바륨 구리 산화물 고온 초전도체 코일의 제조방법

 

출원 : 10-1993-0031239 (1993.12.30)

 

등록 : 10-0102943-0000 (1996.08.02)

 

발명자 : 노광수, 신우석, 배성준, 김원백

 

5.저저항 세라믹 PTC 소자 제조방법

 

출원 : 10-1993-0010372 (1993.06.08)

 

등록 : 10-0103765-0000 (1996.08.23)

 

발명자 : 오권오, 김창정, 노광수

 

4.씨앗층을 이용한 PLZT 박막의 제조방법

 

출원 : 10-1993-0025439 (1993.11.26)

 

등록 : 10-0102974-0000 (1996.08.02)

 

발명자 : 이준성, 노광수

 

3. 투명전도막을 이용한 광셔터의 제조방법

 

출원 : 10-1993-0008636 (1993.05.20)

 

발명자 : 노광수, 김창정

 

2. 졸-겔법을 이용한 에피텍시얼 리튬 리오븀 산화물 박막의 제조방법

 

출원 : 10-1992-0018961 (1992.10.15)

 

등록 : 10-0098220-0000 (1996.04.12)

 

발명자 : 노광수, 허남희, 원동훈

 

1. 일방향 입자성장을 이용한 이트륨 바륨 구리 산화물 고온 초전도체의 선재 및 판재방법

 

출원 : 10-1990-0004007 (1990.03.22)

 

등록 : 10-0057587-0000 (1992.12.23)

 

발명자 : 노광수, 정대식, 김재명

International patent

7. Data recording medium including ferroelectric layer and method of manufacturing the same

 

(강유전층을 이용한 정보 저장 매체 및 그 제조 방법)

 

출원 : US 355,968 (2006.02.17) - 미국특허출원

 

06250825.4-2210 (2006.04.24) - 유럽특허출원

 

JP 2006-39696 (2006) - 일본특허출원

 

CN 20061007698.5 (2006) - 중국특허출원

 

발명자 : 김윤석, 김승현, 노광수, 홍승범

 

6. Data recording medium including ferroelectric layer and method of manufacturing the same

 

(강유전층을 이용한 정보 저장 매체 및 그 제조 방법)

 

출원 :  US355, 968 (2006.02.17) – 미국특허출원

 

발명자 : 김윤석, 김승현, 노광수, 홍승범

 

5. Data recording medium including ferroelectric layer and method of manufacturing the same

 

(강유전층을 이용한 정보 저장 매체 및 그 제조 방법)

 

출원 :  EP2006250825 (2006.02.16) – 유럽특허출원

 

발명자 : 김윤석, 김승현, 노광수, 홍승범

4. Data recording medium including ferroelectric layer and method of manufacturing the same

 

(강유전층을 이용한 정보 저장 매체 및 그 제조 방법)

 

출원 : CN 20061007698.5 (2006) – 중국특허출원

 

발명자 : 김윤석, 김승현, 노광수, 홍승범

 

3. Recording material comprising ferroelectric layer, nonvolatile memory device comprising the same, and methods of writing and reading data for the memory device

 

(강유전막을 포함하는 기록매체, 이를 포함하는 비휘발성 메모리 소자, 이러한 메모리 소자의 데이터 기록 및 재생방법)

 

출원 : US 925, 147 (2004.08.25) – 미국특허출원

 

발명자 : 김윤석, 홍승범, 노광수

 

2. Recording material comprising ferroelectric layer, nonvolatile memory device comprising the same, and methods of writing and reading data for the memory device (강유전막을 포함하는 기록매체, 이를 포함하는 비휘발성 메모리 소자, 이러한 메모리 소자의 데이터 기록 및 재생방법)

 

출원 : 2004-244953 - 일본특허출원

 

US 925, 147 (2004.08.25) - 미국특허출원

 

발명자 : 김윤석, 홍승범, 노광수

 

1. Method of controlling magnetization easy axis in ferromagnetic films using voltage, ultrahigh-density, low power, nonvolatile magnetic memory using the control method, and method of writing information on the magnetic memory (전압을 이용한 강자성체 박막의 자화용이축 제어방법 및 이를 이용한 비휘발설, 초고집적, 초절전형 자기 메모리와 정보기록방법)

 

출원 : 02 258 381.9 - 유럽특허출원 (2002.12.04)

 

2002-343023 - 일본특허출원 (2002.11.26)

 

10/288613 - 미국특허출원 (2002.11.05)

 

발명자 : 신상철, 노광수, 김상국

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